Datasheet下载- 型号： MT41J512M8RH-093:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41J512M8RH-093:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41J512M8RH-093:E TR价格参考。Micron Technology IncMT41J512M8RH-093:E TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT41J512M8RH-093:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT41J512M8RH-093:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器型号MT41J512M8RH-093:E TR是一款DDR4 SDRAM（同步动态随机存取存储器），其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 服务器和数据中心 - DDR4 SDRAM以其高带宽和低功耗特性，广泛应用于服务器和数据中心。这款存储器能够支持多核处理器的高效运行，满足大数据处理、云计算和虚拟化环境的需求。 - 在需要高性能计算的应用中（如AI训练、数据分析等），该存储器可以提供稳定的数据传输速度。 2. 网络设备 - 路由器、交换机和其他网络设备需要高速数据处理能力，以确保数据包的快速转发和处理。MT41J512M8RH-093:E TR的高速性能使其成为这些设备的理想选择。 3. 嵌入式系统 - 嵌入式系统（如工业控制、医疗设备、安防监控等）对存储器的可靠性和稳定性要求较高。该型号的DDR4 SDRAM能够在严苛环境下保持稳定的运行，适合用于对实时性要求较高的嵌入式应用。 4. 图形处理与GPU加速 - 在图形处理单元（GPU）相关的应用中，如游戏、图像渲染和视频编辑，存储器的速度和容量直接影响性能表现。这款DDR4 SDRAM可以为GPU提供足够的带宽支持，从而提升图形处理效率。 5. 消费电子产品 - 高端消费电子产品（如智能电视、游戏主机等）也需要高性能存储器来支持复杂的多媒体功能和流畅的用户体验。MT41J512M8RH-093:E TR的特性使其适用于这些场景。 技术特点： - 容量：单颗芯片容量为4Gb（512Mb x 8）。 - 频率：支持高达2667 MT/s的数据传输速率。 - 电压：工作电压为1.2V，有助于降低功耗。 - 封装形式：采用FBGA（细间距球栅阵列）封装，适合高密度设计。 综上所述，MT41J512M8RH-093:E TR适用于需要高性能、低功耗和高可靠性的各种应用场景，尤其是在服务器、网络设备和嵌入式系统等领域表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41J512M8RH-093:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA （9x10.5） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 4G（512M x 8） |
| 封装/外壳 | 78-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 速度 | 1066MHz |
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